技术领域
微电子与电子信息
项目名称
WFD0005型单片可选通低噪声放大器
项目简介
WFD0005型单片可选通低噪声放大器由一级低噪声增益可控放大器和二级增益可控放大器组成，采用Φ50mm全离子注入GaAsMMIC工艺技术制造芯片，上述两种芯片采用多芯片微组装技术封装于JF08F1管壳中，封装尺寸17.6mm×10.6mm×3.8mm，重量3.0克。典型性能为工作频率f:2.65-2.85GHz；增益Ga:29dB；噪声系数NF:1.4dB；增益可控范围AGC:≥80dB；输入驻波比ρin:2.0；输出驻波比ρout:3.0；开关时间t≤10ns。该产品参数水平与美国M/A-COM公司MAAM23000型(1992年)相当。增益可控范围≥80dB，优于国外同类产品。该产品为国内领先，无进口单
