新日本无线(NJR)近日开发出设有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并开始发放样品。该产品针对欧洲市场而设计，最适用于900MHz频段W-CDMA模式手机。
NJG1138HA8是由低噪声放大电路、旁通电路、控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内建的高线性度、低消耗电流、ESD保护电路等特色，并且防止离基地台较近地区产生强磁场输入所造成的放大器失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)。
NJG1138HA8透过使用高性能HJ FET制程，实现了高线性度(IIP3 0dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗电流(2.3mA typ. @VCTL=1.8V)；内建保护组件，以HBM(Human Body Model)方式，实现了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压。
此外，该组件并具备低控制电压、USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm)的超轻薄封装，以及符合无铅无卤化物标准等特色。
