绝缘硅成本不受材料限制，薄膜SOI未来增长潜力巨大

　根据市场调研机构Semico Research日前发布的报告，绝缘硅(SOI)的增长势头将不会受限于材料成本，这与通常的看法相反。随着半导体工艺技术向纳米阶段发展，绝缘硅的价格实际上可能比块状硅(bulk silicon)还低，使之成为一个具有成本效益和吸引力的解决方案。 　　当今流行的理论是，SOI额外的成本阻碍了这种底板材料广泛使用。日前，Semico通过分析SOI硅晶圆对成本的影响，发现在工艺过程、制造和终端产品上影响各不相同。 　　Semico公司制造业务总经理Joanne Itow表示：“按照一个完整的制造成本计算，SOI本身10-15%的成本并不代表全部。通过深入分析半导体制造工艺过程，一旦晶圆经过测试、切割和封装，SOI增加的全部成本仅为4-6%。”Semico表示，其他改进SOI收益的因素包括新的设计解决方案和逻辑架构。 　　Itow说，“使用改进SOI性能的内存优化工具，可以让SOI从不亏损变成盈利状态。依赖于产品、技术和工艺过程的复杂性，SOI可以将成本减少超过40%。” 　　半导体设备和材料国际组织(SEMI)贸易组分析员Dan Tracy在2006年1月表示，业界采纳SOI的厂商越来越多，尤其是薄膜技术。预计薄膜SOI产业将从2005年的2.63亿美元增长到2008年的6.32亿美元，而厚膜SOI估计增长平缓，从2005年的8,400万美元增长到2009年的9,400万美元。