ST的多片封装（MCP）器件内置通常是二到四颗不同类型的存储芯片，如SRAM、闪存或DRAM，这些器件已经广泛用于空间很宝贵的手机产品中。因为芯片是直接堆叠组装在封装内，所以器件占用的印刷电路板空间与单片器件相同；因为存储芯片使用很多公用信号，如寻址和数据总线，所以封装与电路板之间的连线数量与单片器件也基本相同。
分立器件的使用允许在相同的占板面积内配备不同类型的甚至采用不同制造工艺的存储器，如NOR闪存和SRAM。其它可以组合的存储器包括NAND闪存和DRAM或者NOR闪存+NAN闪存+SRAM。双片封装可以集成一个ASIC和NAND闪存或NOR闪存和SRAM。
直到目前，能够切实可行地采用多片封装的芯片的数量还受到单个裸片厚度的限制，采用多片封装的典型应用是对器件总体积的要求与对电路板的要求相同，增加封装高度是无法接受的。ST的新技术充分利用了只有40微米厚的超薄裸片的优势， 只有40微米厚的“中介层”支撑并隔离封装内的每颗裸片。
八片MCP由八个有源存储器芯片和七个中介层组成，而超薄的双片UFBGA芯片只有一个中介层。利用BGA工艺处理只有正常圆晶厚度的四分之一的超薄晶片是一项重大的挑战，此外，ST还利用新的技术将这些器件的丝焊回路的高度降低到近40微米，丝焊是从裸片到封装焊盘的金丝连接，当芯片间隔如此紧密时，裸片上的丝线回路的高度必须远远低于正常高度。
