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IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET


 
    IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

    与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

    这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。


 

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