日前，飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64mOhm之RDS(ON) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用WL-CSP封装，比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197PZ具有比其它的同级MOSFET器件更强大的静电放电(ESD)保护功能(4kV)，能够保护器件避免可能导致应用失效的ESD事件之应力影响。
P沟道MOSFET器件FDZ197PZ采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术制造，可以达到更低的RDS (ON) 、更高的负载电流和更小的封装尺寸。这款WL-CSP 封装备有6 x 300μm无铅焊球，以用于电路板连接，提供了比其它的WL-CSP引脚输出更出色的电气性能和热阻。其安装时封装高度仅为0.65mm，为薄型产品设计提供了便利。
FDZ197PZ 是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的一部分，能够满足业界对紧凑、低侧高、高性能MOSFET的需求，适用于充电、负载开关、DC-DC转换和升压应用。
