台积电6月11日召开第十一届第一次董事会，一致推举张忠谋续任董事长、曾繁城续任副董事长，并同时聘请张忠谋自2009年6月12日起兼任首席执行官，聘请蔡力行自2009年6月12日起担任新事业组织总经理，直接对董事长兼首席执行官负责。
继续往先进工艺技术节点推进。台积电6月17日宣布，领先业界成功开发28纳米低耗电技术，同时配合双／三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON）)/多晶硅（poly Si）材料延伸至28纳米工艺。此工艺的优势还包括高密度与低V c c_m in六电晶体静态随机存取记忆体（SR AM）元件、低漏电电晶体、已通过验证的传统类比/射频/电子熔线(analog/RF/electrical fuse) 元件、低电阻-电容延迟（l o w-RC）的低介电质铜导线（Cu-low-k interconn ect）。
使用28纳米双／三闸极氧化层系统单晶片技术所产出的64Mb SRAM元件尺寸为0.127平方微米，晶片闸密度（raw gate density）达每平方公厘390万个闸。台积电指出，在SRAM Vcc_m i n、电子熔线及类比领域的优异良率表现，足以证明此工艺的可制造性（manufacturability），藉由应变硅(straining engineering) 与氧化层厚度最佳化的氮氧化硅材料所产出的电晶体，相较前世代45纳米工艺，不但速度提高25~40%，操作功耗减少30~50%，还拥有低待机及低操作功耗的优势。
台积电在2008年9月宣布，将28纳米工艺定位为全世代(Full Node)工艺，提供客户使用具能源效率的高效能及低耗电工艺，并预计于2010年初开始生产。台积电预计依照原定时间表提供28纳米技术服务。与此同时，台积电也在新业务拓展上进行布局。张忠谋表示，放眼未来台积电更要开拓其他长期成长契机，这需要公司内最优秀的经理人来负责，台积电董事会高度肯定蔡力行在过去几年担任首席执行官期间的杰出表现，我期待蔡力行博士全力投入新事业的开拓，为台积电下一阶段的成长奠定坚实的基础。张忠谋也明示，台积电将发展LED、太阳能等新产业。
蔡力行很荣幸被赋予新的机会与挑战，表示目前先从太阳能光伏、LED领域着手开拓新事业，但台积电一向重视基本价值、诚信，也非常注重社会责任，进入绿能产业是希望能找到机会，让公司有更好的成长、获利，对社会也有贡献。
