DRAM跌价 压力现

　　集邦科技（DRAMeXchange）昨（20）日表示，受英特尔（Intel）微处理器（CPU）降价递延需求影响，6月下旬DRAM价格压力浮现，预期最快要到8月过后，价格才可望有较好的表现。价格面临下滑压力，加上大盘走势不振，DRAM族群昨天股价全数收黑，南科（2408）、华亚科（3474）、力晶（5346 ）、茂德（5387）等，跌幅都超过2%。　　集邦表示，由于英特尔已预告7月CPU将有一波大降价，所有买家都在等待降价造成PC市场需求递延，近期DRAM市场需求疲弱，加上6月底为半年报的结算时间，许多DRAM厂为了使帐面库存减少，只要价格在可以接受的水准将努力出清库存，因此6月下旬DRAM价格出现明显下跌。
　　其中，DDR有效测试颗粒部分，在上周力晶（5346）公布官方报价后，价格随即开始走跌，以256Mb DDRI规格为例，价格由2.37美元下跌至2.35美元。至于DDRII部分，随着台湾厂商DDRII比例增加，料将造成跌价压力。
　　集邦预估，这波因CPU降价预期心理造成的DRAM下跌压力，可望在8月之后随市场需求逐渐回笼而有所改善。不过，集邦也认为，由于DRAM价格波动由供给端变化占主要因素，因此除非DRAM厂制程出问题影响供给，否则第三季DRAM价格旺季走势上涨空间也有限。
　　尽管集邦对景气走势看淡，本土DRAM厂则仍抱持乐观看法。力晶认为，现阶段DRAM买气不弱，产能利用吃紧，下半年DRAM价格将看涨，主因在市场需求持续增温，供给不足，以本月的接单情况来看，业绩要再改写历史新高并不难，第三季可望再写高峰。南科（2408）则指出，OEM客户需求仍相当强劲，南科无法满足每一个客户的要求，因为交不出货，“有时甚至要躲客户”。
　　预估DRAM价格将在6月正式触底，7月起由大陆暑假促销档期开始带动需求回笼，刺激价格反弹，预估7月需求回笼后，可维持到11月无虞。