6月29日消息，电子制造商富士康(Foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(InGaN)与砷化铝镓(AlGaAs)活性层的晶格排列更平滑有序，借此来提升发光二极管(LED)的量子效率。这项美国专利的申请将挑战目前LED芯片厂的制程技术。
鸿海精密股份有限公司(Hon Hai Precision Industry Co)藉由集团子公司富士康为Nokia、Apple与Dell等国际大厂代工。富士康是目前全球最大的电子制造商之一，他们宣称以氢化的碳化硅(hydrogenated SiC)作为LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散热问题。他们在5月28日提出两项LED专利的申请。
这个总部在台湾地区的公司申请的两项LED专利，范围包括使用InGaN或AlGaAs作为活性层、单量子阱或多重量子阱层。富士康的LED与一般LED外延结构的差别在于，前者在活性层两侧的局限层掺杂了直径20-200 nm的纳米微粒。发明人陈杰良(Ga-Lane Chen)为鸿海集团的首席技术官，他在专利申请书中指出，掺入的纳米微粒可以是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化镓(GaO)、氮化镓(AlN)或氮化硼(BN)，将有助于改善LED裸晶的芯片质量。
专利中写道，纳米微粒可以改变n型与p型局限层的晶格常数(lattice constant)，进而减少晶格的应变。通过减小应变，在n型局限层上沉积活性层以及在活性层上沉积p型局限层时，可以降低晶格错位(dislocations)产生的机会。此外，晶格应变减小也会使活性层与局限层间的应力降低，进而改善量子效率。
鸿海于2001年创立沛鑫半导体工业股份有限公司(Foxsemicon Integrated Technology Inc.，FITI)，做为专门研发生产TFT-LCD、LED照明与LED显示器的子公司。从2006年起迄今，鸿海精密、沛鑫半导体与富士康已经在美国申请了一些LED芯片的专利。
