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日科学家开发出氮化物半导体使产氢效率提高二倍技术

    日本东京理科大学大川和宏教授的研究小组,日前开发出在氮化物半导体上照光,以使氢生产效率提高二倍的技术。研究小组在半导体的表面制作许多微细的电极,以提高效率,希望在效率进一步提高、生产成本等进一步降低后,使此燃料电池用氢的制造技术,5年左右达到实用化目标。

    新技术系在具有光触媒功能的氮化物半导体表面,加上许多由氧化物形成的小的电极,以提高氢的生产效率。首先,准备蓝色发光二极管(LED)等使用的氮化镓。利用表面化学反应,贴上许多圆柱形的氧化镍电极。电极的直径为几十微米。将利用此方法制得的1公分见方样品,以金属线连接白金电极,再置入水中照射氙灯(Xenon lamp)的光。三小时,约可生产1.5毫升的氢。可以生产相当于照射在样品表面的光能量的1.3%热量的氢。据说,原来的效率仅0.5%。

    应用本技术,可望直接由太阳光与水直接制作氢;然欲实用化需达效率5%,今后仍有待改良。同时,氮化镓也需进一步降低成本。

    在以太阳光制作氢的技术上,利用太阳能电池产生的电力使水电气分解的方法,正在检讨中,其效率为6-8%。大川教授表示,成本经济效益关系普及至巨,希望达到效率10%以上的目标。

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