杭州士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——S-RinTM系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品，S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越
产品特性：
工作电压可以覆盖400V—900V区间
可兼容多晶稳压管结构
高可靠性，高效率，高EAS能力
导通电阻低，动态参数优
具有相对较小的芯片面积
应用范围：
AC-DC功率电源，DC-DC转换器
PWM马达驱动
杭州士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——S-RinTM系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品，S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越，工作电压可以覆盖400V—900V区间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。
S-RinTM产品采用了条形元胞结构，并优化了元胞的工艺及设计尺寸。相对于采用其他结构元胞的器件，在EAS能力方面具有较大的优势；此外，由于采用了尺寸较小的GR环作为其保护环，这样在相同规格的条件下，S-RinTM产品就具有相对较小的芯片面积，这一优势能有效降低成本，增加芯片的利用效率。
该系列产品优化了栅氧化层的厚度和工艺质量，提高了栅源击穿电压，从而提高了可靠性指标，并改善了器件的易损性；其突出表现在于对IDSS漏电的控制。与其他公司同类型的产品相比，S-RinTM产品在经过HTRB可靠性试验后，IDSS仍然可以维持在几纳安到十几纳安非常小的水平，且相对试验前，基本不会增大，这就在很大程度上保证了器件在长时间工作之后，不会因为漏电增大失效而影响其正常使用。
此外，S-RinTM产品通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应，使得器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了AC-DC系统的转换效率。对多晶栅进行了重掺杂处理，以提高器件的响应速度，从而使该系列产品在动态参数方面表现出了一定的优势。
