Bali高速非易失性RAM将同步DRAM、NAND闪存、智能电源管理以及以UltraCap能源缓冲器和系统控制器集成在一起，提供无电池的4 到64MB NV存储器。该器件符合系统标准的RAM，采用200引脚SO-DIMM或夹层卡封装。
该器件具有200-Mb/s峰值传输、I2C命令/控制总线，4~32 MB存储器的电压为3.3 VCC，64 MB的电压为5.0 VCC，工作温度范围为0°~70°C。该器件具有10年数据存储周期，高达200,000次写入，无严重故障模式。（现可供货，1000量时单价为$48到$240）
AGIGA Tech, Poway, CA
