开关电源EMI对策经验总结

开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：

1MHz以内：以差模干扰为主

　　1.增大X电容量；

　　2.添加差模电感；

　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

1MHz～5MHz：差模共模混合

　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，

　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;

　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；

　　3.也可改变整流二极管特性来处理,对快速二极管如FR107,对普通整流二极管1N4007。

5MHz以上：以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法

　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHz以上干扰有较大的衰减作用;

　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.

　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

　　对于20～30MHz:

　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

　　4.改变PCB LAYOUT；

　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

　　7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；

　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

　　9. 可以用增大MOS驱动电阻.

　　30～50MHz 普遍是MOS管高速开通关断引起:

　　1.可以用增大MOS驱动电阻；

　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；

　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

　　6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；

　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；

　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

　　50～100MHz 普遍是输出整流管反向恢复电流引起:

　　1.可以在整流管上串磁珠；

　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；

　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；

　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。

　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

　　200MHz以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。

补充说明:

　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.

　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.

　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响,请密切注意此点.

　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点。