针对半导体标准化活动，电子信息技术产业协会（JEITA）半导体分会、半导体技术委员会、半导体封装产品技术专门委员会举行了08年度活动报告会。
“如果不掌握半导体的EMC特性，确保电子产品的EMC性能，产品开发就会变得非常困难”——基于这种危机感展开的标准化活动就是面向EMC模拟的标准化半导体建模。在EMC方面，产品厂商和半导体厂商在共享信息的基础上，针对半导体的EMC特性的测定方法和建模的标准化意义重大。活动的目的是确立半导体EMC特性的评测方法和模拟建模方法，推动EMC模拟五金|工具的开发。该委员会已经向IEC提出了用以解析LSI产生的高频噪声传导至印刷底板上时状况的EMC特性建模，以及用数值模型表示半导体内部信息、隐藏设计信息的黑盒模型（BlackBoxModel）等。
报告会上，电装公司从ASIC厂商的角度分析了EMC模型信息，并介绍了试制前问题的修改实例。与修正前的方案相比，噪声耐性提高至1.5倍。
在半导体封装中，为了利用半导体后工序实现摩尔法则，各公司正在积极开发三维封装。同时，制定了PoP（packageonpackage）层叠封装的相关设计指南、翻转测定方法及最大容许值的定义等。今后，需要通过层叠内存的更新、容量的标准化、内存的通用化及省略凸块间距（BumpPitch）转接板来降低成本。
可靠性方面，制定了闪存的可靠性试验规格等。比如公布了根据擦写次数缓和数据保存时间的想法。使用闪存时，擦写次数越多数据保存年数越少。实际使用中，如果擦写频率较高，短时间内数据可以复原，因此即使数据保存年数较少也不是问题。由于明确了最大擦写次数下的最长数据保存时间，能够让用户放心使用。另外，半导体元件的使用指南中追加修改了防EOS（电过载）损坏指南等。此前，因ESD（静电气放电）破损被产品厂商退回的半导体较多。因焊锡桥接和组装后通电试验时的错误等造成的EOS破损居多。内部调查结果显示，大部分厂商认为ESD破损所占的比例为10％左右，而EOS破损所占的比例达到30％左右。
关于DRAM内存的标准化，面向2012年度确立DDR4规格，将从09年度开始实施标准化作业。为此，08年度进行了需求调查。结果显示，设想用途依次为(1)视频、(2)照片、(3)语音。对于内存的要求，希望降低耗电量的厂商较多。希望待机耗电量降至0.1mW以下，这是仅靠目前更新数据无法达到的水平。另外，为实现高速的随机访问，希望执行时间小于30ns。内存的外形尺寸方面，部分便携设备要求减薄至0.5mm以下，估计大概与现有的内存相当。
