Vishay推出TrenchFET功率MOSFET Si8422DB

    Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。

    Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件2-mil背面涂层可实现对MICRO FOOT封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。

    此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置MOSFET，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至PCB上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。