中芯国际财报暗示 正进行NAND闪存产品开发

分析师表示，中国芯片代工厂商中芯国际公司计划构建一个300毫米晶圆工厂，这意味着中芯国际公司正在从芯片代工业务模式向自主的、集成设备制造（ IDM）业务模式转移。　　市场调研机构 Semico Research公司在一封电子邮件中称，中芯国际公司除了将在北京建立300毫米晶圆工厂外，还将在上海构建另一个晶圆工厂。在上海的工厂将生产200毫米晶圆。分析师Joanne Itow表示，中芯国际公司计划在上海构建代号为 Fab 8 的工厂采用了生产逻辑芯片产品的300毫米晶圆工厂的设备。这些设备可以制造90纳米和65纳米芯片，明年将投入运作。
　　今年一月份，通过 Saifun半导体公司的帮助，中芯国际公司决定进入储存卡市场。中芯国际公司延长了使用Saifun半导体公司的氧氮化物闪存技术许可，因此可以开发和制造储存卡。中芯国际公司最近的财报暗示出公司正在进行NAND闪存产品的开发。
　　调研公司称，中芯国际公司公布了开发NAND闪存芯片的时间表：今年六月份首先开发出工程样品，在第一季度期间成功的开发出2GB芯片，中芯国际公司的目标是今年第四季度推出商业化产品。
　　分析师指出，这是中芯国际公司从纯粹的代工模式向自主的集成设备制造模式转变的信号。尽管它们试图进入闪存业务，但他们仍然还需要代工。中芯国际公司正在对它的闪存业务进行几种选择，公司可能将分折这一业务，寻求合作伙伴或出售给组件制造商。
　　分析师表示，在所有案例中，他对中芯国际公司积极的闪存开发时间留下深刻的印象。给人印象最深的是它采用了得到Saifun半导体公司许可的名为NROM 的闪存技术，闪存芯片的制造工艺标准将更换到NROM。