ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK®技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应MOS晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比，PolarPAK的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比SO-8封装处理的电流高一倍。.
新器件采用ST最新优化的STripFET™制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10V时，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0欧，30A STK850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款MOSFET的通态电阻的主要因素。
电容低和栅电荷总量低使STK800成为非隔离型直流-直流降压转换器的控制FET的理想选择，同时极低的RDS(on)电阻使STK850成为一个优秀的同步FET解决方案。较低的工作温度有助于提高能效和使用寿命的可靠性。新的封装加强了裸片保护，提高了制造过程中芯片拾放的便利性，并兼容现有的SMD组装设备。新器件的多个货源确保客户采购的灵活性。
STK800定价1.20美元，STK850定价1.60美元。
