（1）硅光电池
硅光电池工作时不需外加偏压，其短路光电流与入射光功率成线性关系，开路光电压与入射光功率成对数关系。因此，光电池都以电流源的形式来使用，负载电阻越小，光电池工作越接近于短路状态，线性就越好。
（2）光电二极管
硅光电二极管在加一定反偏电压的情况下，流过硅光电二极管的光电流与入射光功率基本上成线性关系，有很大的动态范围。
PIN光电二极管不同于普通光电二极管，它的光电转换效率比普通光电二极管高。使用PIN光电二极管时，往往要加较高的反偏电压。
雪崩光电二极管（简称APD）具有增益放大作用，增益可达102～103，其光电转换灵敏度比普通光电二极管要高得多。在较小的入射光功率范围内，它的线性较好，但当入射光功率较大时，线性变差。它的响应时间很短，硅管约为0.5～1.0 ns，频率响应可达几千兆赫。光电倍增管对窄宽度脉冲的响应很好，但在0.8～1.1 μm区，雪崩光电二极管具有比光电倍增管更好的窄宽度脉冲探测度。
（3）光电三极管
