我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N＋GaAs作为N型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层，缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区，另一方面是由于在生长了DBR后，材料表面平整度较差，若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面，因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外，改变缓冲层厚度也可调整ASFP腔的模式波长，缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的GaAsAlGaAs多量子阱后，是i型和P型AlGaAs缓冲层，最后是P+ GaAs作为P型电极。
