Ramtron International Corporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟 (NoDelay?) 写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪器|仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中，由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。
Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道：“FM28V100为Ramtron二进制宽产品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代产品，为希望在系统中省去电池或外部电容器的电池支持SRAM或NVSRAM用户提供了简便的升级途径。”
关于FM28V100
FM28V100是128K x 8非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，并可在掉电后保存数据。FM28V100提供
超过10年的数据保存，能够消除来自电池支持SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺点及设计复杂性问题。从系统中去除电池，可让系统在更宽泛的工作温度范围运作，而且有利于环保。F-RAM具有快速写入和几乎无限的写入耐用性，比其它类型的存储器更加优胜。
FM28V100的系统内运作与其它RAM器件相似，可用作标准SRAM的普适型 (drop-in) 替代产品。通过转换芯片引脚或简单地改变地址，即可触发读/写循环。F-RAM存储器采用独特的铁电存储工艺，因而具有非易失性，适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整个工业温度范围工作。
关于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，可实现器件的性能提升，当中包括：
升级的存储器性能：通过推出FM28V100，将1Mb并行存储器的周期时间从150ns减少至90ns，较Ramtron现有的1Mb并行F-RAM存储器提升60%。与Ramtron现有的串行F-RAM产品相比，SPI和I2C串行V系列F-RAM产品的读/写性能提升了二至三倍。
更低、更宽泛的工作电压范围：由德州仪器采用130ns F-RAM生产工艺所带来的技术进步，F-RAM V系列现提供将F-RAM工作电压调低至2.0V 的灵活性，让F-RAM可在更多的电子系统中以原有的工作电压运作。
写入保护特性： 并行F-RAM V系列产品具有软件控制的写入保护功能，其存储器阵列分为8个相同的模块，每个模块可在软件控制下各自实现写入保护，而无需更改硬件或引脚输出(pin-out)。
器件ID：V系列中的串行F-RAM产品具有一个24位器件ID，这是Ramtron产品所独有的，以防止产品出现伪造。
独特的序列号：V系列中的串行F-RAM产品采用64位的序列号订购，由一个16位客户ID、40位独特代码，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成。
可定制的重置电压：V系列串行F-RAM备有多种重置电压，从2.14V至3.09V。
