UV EPROM的单元结构如图所示。其基本结构与在下一章中说明的闪速存储器相同。UV-EPROM的存储单元是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成的，在它的控制栅和N沟道间有一个称为浮置栅的特殊栅极，这是UV-EPROM单元结构的主要特征。
图 UV-EPROM的单元结构
由于浮置栅利用氧化膜使栅极与基板绝缘，使存储于此处的电荷不能被轻易释放，从而达到持续保存记忆的目的。与闪速存储器相同，通过浮置栅中是否存储电荷，利用FET（场效应晶体管）的阈值电压的变化，进行高电平与低电平的判断。一般地讲，UV一EPROM在擦除状态（浮置栅中未存储电荷的状态）时，读出“高电平”；而在存储电荷状态时，读出“低电平”。
