在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。
根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0.171平方微米。该器件集成了近20亿个晶体管和4.2Mbit2的矩阵密度。
测试芯片工作在3.8GHz的频率上，工作电压为1.1伏。英特尔计划开发其首款32纳米的沉浸光刻扫描仪。此前193纳米的设备来自尼康公司。该工艺还利用了第二代高h/金属门技术、紧缩频道、以及9个等级的低k电介质互联技术。此外根据报道，该工艺还可以产生目前32纳米的最大驱动电流。NMOS饱和驱动电流为1.55毫安，而传统的PMOS驱动电流为1.21毫安。
在IEDM上，还会有其他重要的产品推出。HRL实验室将介绍其RFCMOS与磷化铟(InP)晶体管的集成技术。根据该介绍文件称，“磷化铟晶体管与其它硅质晶体管相比，速度更快，但密集的磷化铟集成电路因技术不成熟而尚未批量生产。”
据称，HRL已经将高性能的250纳米、300GHz的ft/fmax磷化铟双异质结双极晶体管(DHBTs)与IBM公司已有的130纳米RF-CMOS晶圆集成在一起。
