功率MOS管有寄生的二极管，称为体二极管，其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns，希望皿体二极管的trr也和SBD一样，能控制在10 ns左右。
此外，体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正比，一般UF≈1V，远大于功率MOS管本身的正向压降。因此，为了减少寄生二极管产生的附加损耗，在工作过程中应使负载电流尽量避免流过SR的体二极管，即使有电流流过，也要尽量减少在体二极管中的流通时间，如果体二极管能保持在阻断状态，SR可以很快由导通状态转换到关断状态。
