据巨亨网报道，南韩知识经济部(Ministry of Knowledge Economy)近日表示，Samsung Electronics与其它南韩龙头企业已共商发起联合研发计划，范围包含内存芯片以及面板。
知识经济部发布声明表示，Samsung将与 Hynix Semiconductor携手，并连同几家较小企业和学术机构开发如 STT-MRAM(旋转力矩转移磁阻式随机存取内存) 等次世代芯片，计划为时4年。
STT-MRAM算是MRAM(磁阻式随机存取内存)的改良技术，属于非挥发性内存，架构虽与传统MRAM相同，但耗电量更低，可望成为未来内存的主流产品之一。
计划中，Samsung与Hynix将各投入60亿韩元(540万美元) ，而南韩政府也将赞助120亿韩元。
除此之外， Samsung也将与面板大厂LG Display 合作研发显示器的关键零组件—数字扫描仪(digital scanners)，预计11月份启动。
其中 Samsung与LG Display个别投资150亿韩元，政府则提供200亿韩元。
知识经济部说：本国的科技竞争力，将透过龙头企业的串联而有所提升。
Samsung 是全球营收最高的计算机内存芯片及面板制造厂， Hynix与LG Display则个别在业界中位居第2。
截至目前为止，Samsung、Hynix与LG Display方面均未做出响应。
