据世华财讯报道，韩国Hynix半导体10日表示，公司决定从9月份开始削减NAND闪存芯片（NAND flash memory chip）20%-30%的产量。
现代半导体的发言人SeongAe Park表示，公司将削减8英寸晶圆生产线(M8生产线)30%的产能。另一条8英寸晶圆生产线，即M9生产线，可能会在9月份停止生产NAND闪存芯片。
