美国东芝电子元件（Toshiba America Electronic Components）发布了耐压600V、采用超级结（Super-Junction）构造的功率MOSFET新产品“DTMOS II”（英文发布资料）。该产品不必减小耐压就可降低导通电阻。导通电阻与栅极输入电荷量的乘积（Ron×Qg）比该公司原产品减小了68％。主要面向个人电脑的AC适配器及平板电视等。
此次共推出了额定漏极电流为20A、15A及12A、采用4种封装的12款MOSFET。封装分别为TO-3P、TO-220SIS、TO-220及TFP。最大导通电阻方面，20A产品为0.19Ω，15A产品为0.3Ω，12A产品为0.4Ω。
目前各产品均已样品供货。样品价格为1.3美元起。其中，额定漏极电流为15A、封装采用TO-3P、TO-220SIS及TO-220的产品现已量产。而其他产品将在2008年10月之前开始量产
