IBM日前联合AMD合作生产出了首批采用22纳米工艺技术的SRAM芯片产品，而这一重磅消息的发布或将挑战英特尔在该领域的领先地位。
SRAM芯片是典型的半导体行业测试新工艺手段的首选设备，是迈向微型处理器的关键第一步。该设备是由AMD、飞思卡尔、IBM、意法半导体、东芝以及纳米科学与工程学院联合开发和制造的。这种22纳米工艺的SRAM芯片是从300mm晶圆上切割而来，采用传统的六晶体管设计方案，整个芯片面积仅有0.1平方微米。而英特尔的45纳米处理器的SRAM芯片面积为0.346平方微米。
和目前主流的处理器工艺水平相比，22纳米工艺水平则是两代之后的技术(60纳米一代，45纳米一代)。然而，参与到此项22纳米工艺项目的AMD还在45纳米工艺上苦苦地追寻英特尔的脚步。
英特尔发言人表示，的确IBM与其合作伙伴们制造出了最小的SRAM芯片，但是生产出一个单独的SRAM仅仅是在微影缩微上的操作而已。他们也仅仅是公布了22纳米的SRAM芯片，而非22纳米的SRAM阵列。一个单独的SRAM芯片只不过是有着6个晶体管而已。英特尔于去年展示的32纳米SRAM阵列有着多达2.9亿个芯片单元以及总计达19亿之巨的晶体管数量。
