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海力士开发16GB的DDR3 2-Rank R-DIMM,使用MetaRAM的技术增大容量

  韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)开发成功了存储容量16GB的DDR3 2-Rank Registered DIMM(R-DIMM)“HMT32GR7AER4C-GD”和8GB的DDR3 2-Rank R-DIMM“HMT31GR7AER4C-GC”(英文发布资料)。新产品使用美国MetaRAM的“DDR3 MetaSDRAM”技术实现。使用此次的DIMM,在不降低性能的情况下,DDR3的每一个通道的存储容量可提高到原来的3倍。可用于服务器和工作站。

  DDR3 MetaSDRAM是与MetaRAM公司用于DDR2 R-DIMM的“MetaSDRAM”类似的技术。通过使用DDR3 MetaSDRAM技术,并利用目前市场上主流的1GB DDR3 SDRAM芯片,可低成本构成大容量的DIMM。并且,数据传输速度也没有降低。

  美国英特尔在2008年8月19~21日于美国旧金山召开的开发人员会议“Intel Developer Forum 2008 Fall”上,使用海力士此次开发的产品进行了现场演示。

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