非易失性铁电存储器（F-RAM），因具高写入速度、高耐用性及低功耗等特性正引起汽车电子产品开发商进行市场攻势的新亮点。而Ramtron的Grade 1（+125℃）与Grade 3（+85℃）AEC Q100认证计划，以及对零缺陷的持续追求，正使其F-RAM解决方案获得多个应用领域（主要是汽车供应商）越来越多的认可及采用。
F-RAM产品在单一器件中给合了多种存储器技术，无需电源|稳压器也可保存信息。其最吸引的特点是写入速度快、读写寿命高以及功耗低，其性能远远超过老式的非易失性存储器。据了解，Ramtron的产品战略是从独立的铁电存储器向包括集成模拟与混合信号功能的增强铁电存储器产品发展，使该公司能开发全新系列的产品，以满足诸如汽车、计量、计算机、工业、科学与医疗等各种市场对更高效且更具性能价格比产品不断增长的需求。
Ramtron战略市场拓展经理Duncan Bennett认为，F-RAM技术适合范围广泛的智能及高电子含量的汽车应用，包括数据密集型导航系统、功能丰富的音频系统，以及高级汽车安全系统的快速数据记录，如事件数据记录仪（EDR）。F-RAM在诸如信息娱乐、安全及事件数据记录方面的优异表现，非易失性F-RAM存储器产品正推动着引擎室和车舱内应用的新一代汽车创新。Duncan Bennett介绍，“Ramtron的车舱内与引擎室应用的F-RAM汽车解决方案，适用于当今先进汽车引擎室严苛的温度环境，已被世界各地主要汽车供应商应用于智能气囊、稳定性控制、停车协助、动力传送、主动转向、驾驶室仪器|仪表及音频娱乐中。”
F-RAM的写入速度比E2PROM快1000倍，使用次数比E2PROM多出10亿次，而其功耗只是E2PROM的一小部分。F-RAM以超过EDR使用寿命的时间间隔存储数据，确保撞击事故中电源中断情况下数据的完整性，是EDR的理想存储器。
Ramtron是业内率先将铁电材料集成于半导体产品中，实现铁电存储器（F-RAM）这一新型非易失性存储器产品的供应商，自公司成立以来已向全球提供了超过1.75亿个F-RAM产品，而公司最新的FM24CL64 64kB串行F-RAM目前已通过认证，可在-40℃~+85℃的Grade 3汽车温度范围内使用。
FM24CL64是具有工业标准I2C接口的64kB非易失性存储器，与相应的E2PROM器件引脚兼容，但具有更快的写入速度、几乎无限的耐用性（1万亿次写入）、45年的数据保存能力和低功耗特点。该器件工作于3V电压，温度范围为Grade 3汽车温度范围，以100kHz进行读和写操作时的电流消耗为75mA，并采用符合环保要求的8脚SOIC封装。
Duncan Bennett表示，EDR类似于飞机的黑匣子，其功能是记录事故的关键数据，以协助确定事故发生的原因。目前美国政府已采用EDR支持其汽车事故调查程序，将来随着应用规模的扩大，F-RAM的成本会大幅下降，EDR也必定成为未来汽车的强制性标配，Ramtron也将藉由F-RAM技术协助中国本地汽车工业自有汽车设计的创新。
