不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压，比现有解决方案的功耗更低。
双端口器件集成了存储器和控制逻辑，可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题，增加带宽并降低设计复杂性，同时通过使用经过验证的成熟器件，实现快速上市。
IDT 公司流量控制管理部门市场总监 Carl May 表示：“IDT一直积极寻找改善我们现有产品的方法，为我们的客户提供不断进化的升级，在其未来的设计顾虑变成问题之前，帮助他们排除这些顾虑。这些新器件为我们的客户提供了性能和功耗上的显著改善。”
性能和优势
新的 9Mb IDT 70P3519 和 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步双端口器件。两款器件可提供完整的同步功能，有助于 IDT 的客户优化其设计，获得更高的性能和更低的功耗。此外，这两款器件还有助于客户同时存取单个存储器地址，而无需外部器件。同步功能包括计数器、多个独立的芯片使能和字节使能（byte enable）及同步中断。此外，控制寄存器、数据和地址输入可实现最短的设置和保持时间，以便使产品更快上市。通过采用输入数据寄存器，这两款双端口器件为具有单向或双向数据流突发的应用进行了优化。一个由 CE0 和 CE1 芯片使能引脚控制的自动掉电特性，可允许每个端口的片上电路进入一种非常低待机功耗的模式。
70P3519 和 70P3599 能够支持一个或两个端口上3.3V、2.5V 或 1.8V 的 I/O 电压。这两款器件的内核电源（VDD）为 1.8V。
封装和供货
