赛普拉斯2Mb/8Mb nvSRAM无需电池即可提供储存功能

　　赛普拉斯半导体公司（Cypress）日前推出2Mb与8Mb非挥发性静态随机存取存储器(nvSRAM)，新元件具备20ns存取时间、无限次数读写及记忆周期、20年资料保存等特色，适合需要持续高速写入资料，并要求安全的应用，如伺服器、RAID、工业控制、汽车、医疗、数据通讯系统。

　　CY14B102 2Mb nvSRAM与CY14B108 8Mb nvSRAM均符合ROHS环保规章，能直接取代SRAM、电池供电SRAM、EPROM与EEPROM等元件，不需使用电池就能提供可靠的非挥发资料储存功能。在关闭电源时，系统会自动把SRAM储存的资料传送到元件的非挥发储存元件。在启动电源时，再把资料从非挥发存储器回存到SRAM。

　　两种作业都在软件的控制下执行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，SONOS)嵌入式非挥发性存储器技术，具备更高密度，并能改善存取时间与效能。

　　新的2Mb与8Mb nvSRAM产品提供一个即时时脉功能，结合最低的待机振荡器电流与最高效能的整合式存储器，可经由非挥发性存储器支持，为发生事件加上时间戳记。