海力士(Hynix)将于近两个月内关闭位于美国俄勒冈州Eugene的200毫米DRAM晶圆厂，原因是DRAM市场供过于求的情况已持续了数月。有报告称，海力士将会关闭晶圆厂并考虑出售该厂，减小在当地的业务规模。
该举动的背景为市场观察家称DRAM销售量将下跌9%并伴随价格下调。300毫米工厂的产量速度快于业内所预期的，导致了DRAM市场出现供过于求现象，也使老一代200毫米晶圆厂失去了获利优势。
市场观察机构Semico Research公司总裁Jim Feldman称，“关闭工厂对于Eugene不是一件好事，但有利于DRAM行业。”Semico的内存分析师Bob Merritt认为，“内存供应商都面临着市场饱和问题，并在两年内无法赢利。”
此前，海力士已经宣布该公司将关闭位于韩国的至少一家200毫米工厂。Digitimes的报道称，台湾的大多数DRAM制造商也将停止200毫米晶圆生产。
当前的主流DRAM，Gbit系列，已经在300毫米晶圆厂开始投产。上一代512Mbit规格的内存生产也由200毫米晶圆厂转移到300毫米厂，尽管其市场已开始下滑。Merritt称，“300毫米厂的效率大大超过了此前的预期，正如几年前由150毫米换代到200毫米厂的那样。”
海力士在Eugene雇佣1,100员工，是该市场最大的纳税者以及最大的雇主。海力士是继三星之后的世界上第二大DRAM制造商。Merritt还称，“一旦行业开始出现断货现象，将预示出现更多的利润。尽管这很残酷，但这就是市场的运作方式。”
对于海力士而言，关闭其在美国仅有的工厂的决定会有两个法律反映。面对来自美国监管部门针对韩国内存厂商的的反倾销指控，该公司将失去挡箭牌。不过该公司也不会再有触及到由Rambus公司因长期专利纠纷设置的禁制令。
