10月26日现货行情显示，国内DRAM市场DDR266由于缺乏需求的支撑，价格下跌比较明显。由于10月下旬合约价格的进一步下调，以及月底压力的逐步显现，库存仍没有得到消化，DRAM市场前景仍不乐观。主流品牌Hynix 256M DDR266/333/400尾市收于￥110/￥129/￥163。
集邦科技（DRAMeXchange）公布10月下旬DRAM合约报价，跌幅在4%至12%间，幅度之大，远超过业界预期。其中512Mb DDRII跌幅加大，并直接排挤DDRI价格，是业者目前相当头痛的问题。
集邦科技最新报价，其中256Mb DDR400均价在2.56至2.25美元间，跌幅4.65%至5.26%；512Mb DDR400均价在5.13至4.63美元间，跌幅6.82%至7.5%；512Mb DDRII533则正式跌破5美元，均价在4.88至4.25美元间，跌幅11.36%至5.56%。
受DDRII价格续跌影响，目前市场对于未来DDRII、DDRI价格看法都偏向保守悲观。
其中，大厂方面力晶对DDRII后市价格也抱持悲观看法，认为低阶DDRII价格将会持续走跌，不过相较之下，力晶认为DDRI的价格第四季可望持稳。力晶、茂德皆表示，DRAM价格每年不断下跌，是正常产品特性，唯一要做的是加速压低成本脚步，力晶希望终极目标是把未经测试颗粒成本压低至1.8美元。受英特尔芯片组缺货影响，南科下修第四季DDRII出货比重策略，由原预估的50%降为40%。
虽然理论上下半年是传统市场旺季，整个第三季全球DRAM位成长率约介于40%左右，供需之间的成长力道应可相互抵消，但是下至今为止，个人计算机出货还是无法有过去季节性旺季应有的成长幅度，国庆长假需求也等于落空，欧美返校采购需求同样不强，因此在需求成长不如预期下，DRAM市场反而小幅供给过剩，现货价、合约价自然无法调涨。
