RF Micro Device，日前发布了400W高功率放大器，具有RFMD自身开发的GaN工艺杰出性能特性。400W GaN HPA为航空运输控制雷达航载或地面脉冲S波段监视雷达应用所设计。
在雷达应用中，RFMD的400W GaN HPA工作频率在2.9-3.5GHz，提供65V电源|稳压器和10.5dB增益。400W GaN HPA使用热高效陶瓷密封，尺寸仅仅为24×17.4mm，比竞争性硅双极技术更具功率密度和尺寸优势。此外，RFMD的GaN工艺技术以更高工作输出功率比硅双极场效应管提供更大带宽，却在整个带宽上保持业界领先的50%输出效率。
RFMD GaN的其它主要区别是可靠性。在S-波段雷达应用中，HPA结合在更大的2.5KW"托盘"放大器，使用的每个托盘组装了八个或更多HPA。这些应用传统的行波管（TWT）技术存在由可靠性问题带来的故障和昂贵的替换成本。RFMD GaN技术在200摄氏度节温时具有1E6小时平均故障时间的目标，从而提供了优越的可靠性，为客户降低了相当大的成本。
