南韩半导体制造商三星电子Samsung与海力士Hynix日前发表联合报告，将建立合作联盟，共同致力于450mm晶圆开发。这次合作是同Sematech和SEMI 开展的建立450mm晶圆标准工作同时进行的。三星与海力士表示，共同发展下一代的内存芯片，希望藉此分摊研发工本，节省未来的专利授权费用，以对抗日本对手重新主宰半导体市场的野心，力保南韩在全球记忆体市场的龙头地位。。
这种称为自旋力矩转移磁阻随存内存(STT-MRAM)的芯片，有潜质成为下一代的主流内存。南韩政府因此出面协调，促成三星与海力士协作。
南韩知识经济部长李允镐说，这将使南韩半导体产业继续保持领先，在下一代的芯片开发中获取先机。他说：「正当我们的半导体产业面临外国威胁时，我乐见他们在技术上结盟。」
日本东芝、NEC与富士通先前已组成开发STT-MRAM的联盟，将在2006-2010年间支出30亿日圆(2,830亿美元)的研发费用。
李允镐说，三星与海力士的协作可以把关键技术留在南韩手中，避免日后对外国业者支付庞大授权费用。由于缺乏DRAM与NAND快闪内存的关键专利，南韩芯片业者当前每年必须向东芝
、英特尔等公司支付数亿美元的权利金。
这也是南韩半导体业者集成结盟计画的一环。南韩官员表示，这项协作将使三星与海力士成为18寸晶圆厂的标准制订者。两家芯片厂承诺将采购更多南韩当地生产的晶圆材料、组件与设备。
