海力士开发采用3重单元技术的32Gb NAND闪存

韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于日前宣布成功开发出采用3重单元（3bit/单元）技术的32Gbit NAND型闪存。
　
　　此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从10月开始量产。
   
　　新产品是由8枚芯片组成的一个封装，通过将存储容量增加到32Gbit，可存储大量的信息。
   
　　另外，新产品遵循ONFI（Open NAND Flash Interface）标准，所以也是BA（Block Abstracted）NAND型闪存产品。该产品利用MSP(Memory Signal Processing)技术，消除了单元间的干扰现象，解决了这个存在于3重单元产品中的最大障碍。这样，原来的MLS技术今后可以应用于4重单元等下一代产品，此外还有望突破工艺微细化的极限，继续保持存储器位数的增长。