芯片工艺技术进程在2011年前，即可能遭遇瓶颈。相对纳米科技已开始介入处理器、存储器…等芯片工艺，凡小于100纳米(nanometer)的零组件产品，都可以看见它们的身影。
基本上，芯片中的铜导线有其物理极限，所以芯片商需要借碳纳米管在硅芯片上布线，然而布线空间和晶体管集中度有关。直到史丹佛大学与Toshiba RD推出1GHz碳纳米管互联CMOS 电路后，纳米芯片工艺问题才获得缓解。
业者表示，具有11,000个晶体管芯片，拥有256个环形振荡器，RD在设计芯片时，每个振荡器都留有未连接位置，因此芯片还需要借纳米管与振荡器连接，每个纳米管直径为50至100纳米。
纳米管必须和19个环形振荡器连接，并以1.02GHz频率传输0和1讯号。其中19个环形振荡器中有16个能以800MHz以上的速度运行。芯片(芯片面积约为1/100平方英寸)中有1个missing connection环形振荡器阵列，它透过纳米管材质取代传统铜线完成电路铺陈，RD最终目标是以1纳米直径的单壁纳米管代替多壁纳米管。
为简化环形振荡器运作流程，多任务电路(multiplexing circuitry)让每个环形振荡器都得以被搜巡。芯片表面会借液体浮力，让数千个纳米管漂浮于芯片上，同时向环形振荡器提供交流电(AC)，以吸引漂浮中的纳米管精准对上电路中的缝隙，当纳米管嵌入桥接缝隙时，原供给环形振荡器的交流电就会被自动切断，再经芯片表面干燥，整个芯片电路即告铺设完成。
