磁阻RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)和相变RAM(PCRAM)是人们讨论最多的DRAM和闪存替代方案。相对于目前的DRAM和闪存，上述技术都有自己的优势，但从成本或技术角度来看，也存在一些缺点。
电阻RAM ReRAM/RRAM是另外一种可能的选择。富士通(Fujitsu)、英特尔(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究这种技术。这些厂商相信，ReRAM将比闪存快100倍，而尺寸将优于相变RAM或MRAM等其它先进内存。
碳纳米管(CNT)技术也大有前途。近期内这种技术可能用于系统内存，长期可能用于复杂的逻辑器件。纳米管RAM(NRAM)单元利用几个悬在金属电极上面的CNT制成。当在纳米管上面施加一个微弱的偏压时，纳米管就向着电极的方向“下垂”，直到接触为止。此时纳米管被视为处于逻辑1状态。当取消偏压之后，纳米管脱离电极，逻辑状态恢复为零。NRAM的优点包括具有SRAM的速度、密度远高于DRAM、功耗低于DRAM和闪存。另外，它不怕恶劣环境，而且具有很好的缩微性。
此外，最近厂商宣布的“memristor”(记忆电阻)，可能是内存供应商为创造一种通用内存而渴望的技术突破。memristor是一种电路元件，在尺寸缩小过程中可以改善性能。
市场调研公司IC Insights坚信，内存市场(尤其是DRAM)是进化性的，而不是革命性的。在必须转向纳米管、PCRAM或MRAM等另类内存技术之前，内存供应商将继续充分挖掘现有技术/架构的潜力。迄今为止，没有一种另类内存能够提供具有足够诱人的解决方案，使之优于现有的内存。
