日前，VISHAY推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。
VISHAY SILICONIX Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积，这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。
Si8441DB提供了1.2V VGS时0.600Ω至4.5V VGS时0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高±5V的栅源电压。其在1.2V额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。
VISHAY同时还推出了采用相同MICRO FOOT芯片级封装的另一新款MOSFET功率器件--20V p通道Si8451DB。Si8451DB的最高额定栅源电源为8V，其导通电阻范围介于1.5V时0.200Ω至4.5V时0.80Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。
随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小的MOSFET封装，这恰恰是VISHAY的Si8441DB及Si8451DB所具有的特点。
目前，上述两款新型MICRO FOOT芯片级封装功率MOSFET的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。
