日本启动EUV光源开发项目

据半导体国际网站报道，日前一个关于极紫外（EUV）光刻光源开发的新联盟在日本启动，这是继EUV曝光技术开发完成后，日本极紫外光刻系统开发协会(ExtremeUltravioletLithographySystemDevelopmentAssociation，EUVA，日本川崎)的又一动作，该项目是在2008年3月达成决议的。5月，该协会举行了最后的讨论会，报告EUV光源开发成果。报告结果主要展示了采用激光等离子体技术（LPP）的中间聚焦点为60W的EUV光源，和采用放电等离子体技术（DPP）的中间聚焦点为20W的EUV光源。之前在3月份结束的这个项目获得了日本经济贸易产业省（MinistryofEconomy,TradeandIndustry，METI)的支持，为期5年，总金额达到1.25亿美元。

　　然而，EUV光源开发的成果尚不能商业化，光源靶极设定值超过了115W，可满足300mm晶圆100wph的量产需求。这个新联盟包括EUV光源开发商UsioInc.(Tokyo)和KomatsuLtd.(Tokyo)，EUV设备制造商Nikon和Canon，并与METI的下属机构新能源和技术开发组织（NewEnergyandIndustrialTechnologyDevelopmentOrganization，NEDO)签订了为期2年的合同。合同帮助新联盟使用之前EUVA项目的五金|工具设施。

　　在开发EUV光源上最大的挑战在于，如何在等离子气氛中为溅射墙控制碎片、灰尘或污染物。如果没有碎片控制，光源会很快恶化。阻止污染物进入透镜和光掩膜，对EUV光源的正常工作也是必不可少的。

　　在向NEDO提交的一项申请中，EUVA提出了新的关于EUV光源清洗技术的建议，它包括32nm节点EUV光源的掩膜和透镜污染评估技术，以及聚焦束系统的清洗技术。新建议预计于5月底被接纳。EUVA希望今年能启动一个为期3年的新合同计划。

　　Nikon、Canon和ASML公司目前都在为R&D研发中心提供alpha样机，但对于32nm及更高节点的量产来说，EUV光源的能量仍是个问题。更高能量的EUV光源仍在期待中。