32纳米后段清洗工艺开发采用FSI单晶圆清洗技术

近日FSI公司宣布，一家重要的半导体制造商在32纳米集成电路制造的后段(BEOL)清洗能力开发中，选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过优中选优，最终认定FSI的技术最符合32纳米器件制造所预期的各项新要求。IC制造商正在寻求的用于32纳米器件的低介电系数材料和金属薄膜叠层，对于湿法清洗比前几代BEOL工艺敏感得多。FSI与众不同的单晶圆技术展示了高效去除刻蚀和灰化副产品的能力，同时不改变电介质、刻蚀金属膜厚度以及避免电偶腐蚀。