NXP发布新型基站功率晶体管

本报讯 NXP近日推出BLC7G22L(S)-130基站功率晶体管，这是NXP应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。 NXP的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。