惠普公司今天宣布，其研发部门已经证实了电路世界中的第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）的存在。这项发现未来将有可能用来制造非易失性存储设备，甚至可能改变整个电子科学的发展历程。
电子学最基本的教科书都会给出这样的说法，电路是由三大基本元件组成的：电容、电阻和电感。早在1971年，加州大学伯克利分校教授LeonChua就已经提出预测，将出现第四种基本元件：记忆电阻（Memristor即memoryresistor的缩写）。简单的说，这是一种有记忆功能的非线性电阻。我们可以通过施加控制电流的方式改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。
这一预测提出已经接近40年，但一直没人能证实这一现象的存在。来自惠普实验室下属信息和量子系统实验室的四位研究人员，在今年5月1日出版的最新一期《自然》杂志上撰文指出，他们已经证实记忆电阻效应在纳米级的电子系统中是天然存在的。在这样的系统中，固态电子和离子运输在一个外加偏置电压下是耦合在一起的。这一发现可帮助解释过去50年在电子装置中所观察到的明显异常的回滞电流-电压行为的很多例子。
由R.StanleyWilliams领导的研究人员表示，这一发现将有助于大大提高晶体管密度的极限。而记忆电阻最简单的应用就是制造基于它的非易失性存储器，替代目前的DRAM内存，实现电脑的即时开机。未来则有可能加速云计算的发展，帮助实现仿人脑计算机等。
