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TI推出首款锁相环集成式DDR3寄存器量产版本

  德州仪器|仪表 (TI) 宣布推出首款针对寄存式双列直插式存储器模块(RDIMM)的锁相环 (PLL) 集成式DDR3寄存器的量产版本SN74SSQE32882。该器件在广泛的电压与温度范围内实现了恒定的时钟与输出延迟,从而实现了较高的系统稳定性。单芯片四排模块支持不仅能够节省总体板级空间,而且还降低了功耗,从而能够满足服务器、工作站与存储设备的要求。

  SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存缓冲器可在 1.5V VDD 下工作,并支持奇偶校验功能,以确保可靠性。该器件支持800Mbps至1,333Mbps的高数据速率,从而实现了更高的灵活性,并可在一个模块上支持多达 72 个 DRAM。

  其他关键特性

  CKE 关断模式;

  控制模式寄存器;

  输出驱动器强度控制;

  工作频率:300 至 670 MHz

  SN74SSQE32882 超出了美国电子工程设计发展联合协会 (Joint Electron Device Engineering Council) 就整个温度与电压范围内的稳定性定义的规范要求,这就保证了高性能服务器系统的可靠性。

  DDR 解决方案简化设计工作

  TI 的 DDR3寄存器壮大了主要 DDR2寄存器与 PLL 器件(如 CDCUA877 与 SN74SSTUB32866)的产品阵容。此外,TPS51116 与 TPS51100 DC/DC 控制器还显著减少了支持 DDR 系统所有电源|稳压器管理要求所需的外部组件数。

  供货

  采用 176 焊球 MicroStar BGA 封装的 SN74SSQE32882 现已开始供货。

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