半导体三极管的一般选用原则有：
(1)当三极管使用的环境温度高于30℃记时，耗散功率PCM应降额使用。
(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。
(3)当三极管的耗散功率大于5W时，应给三极管加装散热板或散热器，以减少温度对三极管参数变化的影响。
(4)在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如ICEO、UBEO和β值。其中IcEo和UBEO随温度变化而变化的情况如下:
①温度每升高6℃，硅管的ICEO将增加一倍;
②温度每升高l0℃，锗管的ICEO将增加一倍;
③硅管UBEO随温度的变化量约为1·7mV/℃。
(5)为了减少温度对三极管尸值的影响，应选用有电流负反馈功能的偏置电路，或选用有热敏电阻补偿功能的偏置电路。
(6)装配三极管时，不允许在引出线离外壳5mm以内的地方进行引出线弯折或焊接。焊接三极管时，应采用熔点不超过150T的低熔点焊锡进行焊接。电烙铁以20W内热式电烙铁为宜，焊接时间越短越好，以小于5，为宜。必要时可用镊子夹住引脚进行焊接，以帮助散热。
(7)在甚高频或脉冲电路中使用的三极管，引出线应尽量短。
(8)超高频三极管或高频开关三极管，在试验或测试时，要防止自激而烧毁。
(9)为防止功率三极管出现二次击穿，应尽量避免采用电抗成分过大的负载。
(10)选用三极管时，在能满足整机要求放大参数的前提下，不要选用直流放大系数hFE过大的三极管，以防产生自激。
(11)三极管在接人电路时，应先接通基极。在集电极和发射极有电压时，不要断开基极电路。
(12)三极管的种类很多，因此应根据具体电路的要求来确定三极管的类型，然后根据三极管的主要参数进行选用。
(13)选用开关三极管时，要注意的主要参数有特征频率、开关速度、反向电流和发射极一基极饱和压降等。开关三极管要求有较快的开关速度和良好的开关特性，特征频率要高，反向电流要小，发射极一基极的饱和压降要低等。
