该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件(ID(DC) < 50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中，额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。
能实现P-沟道功率MOSFETs超低导通阻抗(RDS(ON))值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则，将单元密度提高到了160Mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻(RDS(ON))。和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG)，因芯片不同而有所差异。
这一系列低导通电阻器件符合P-沟道器件在汽车电子应用中日益增长的需求。在电池反接保护、H桥直流电机驱动等标准应用中，P-沟道功率MOSFETs与N-沟道器件相比具有明显的优势。
