网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
资料首页最新产品 技术参数 电路图 设计应用 解决方案 代理商查询 IC替换 IC厂商 电子辞典
关键字: 技术文章 PDF资料 IC价格 电路图 代理商查询 IC替换 IC厂商 电子辞典

功率MOSFET关断损耗计算攻略

(3)模式M3:t7-t8

从t7时刻开始,ID电流从最大值减小,VDS电压保持电源电压VDD不变,当VGS电压减小到VGS(th)时,ID电流也减小到约为0时,这个阶段结束。

VGS电压的变化公式和模式1相同,只是起始电压和结束电压不一样。

(4)模式M4:t8-t9

这个阶段为ID电流为0,VDS电压保持电源电压VDD不变,当VGS电压减小到0时,这个阶段结束,VGS电压的变化公式和模式1相同。

在关断过程中,t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区,因此产生开关损耗。

关断损耗可以用下面公式计算:

【本文系转载,版权归原作者所有】

热门搜索:PS-415-HG-OEM LCR2400 6NX-6 TLP808 2320306 PS-615-HG 02M0500JF 02C1001JF TLM825GF B3429D N060-004 SBB400 TLP606B PDU1220 2986122 UL800CB-15 SBBSM2120-1 BTA12-800TWRG PS240406 2920120 PS-415-HG DRV8313PWPR TLP6B TLP808TEL 2762265
COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
(北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质