基本特点：
①VP-1000语言合成芯片是采用CMOS工艺制造，连续可变斜率增量调制技术(CvSD) 的大规模集成电路。 ②芯片适合配接静态存储器SRAM或只读存储器ROM或EPROM。寻址能力为32k×8位。 ③采样速率为9．6～128kbps范围内可调。 ④内部有时钟振荡电路，外接RC即可工作。 ⑤单一电源供电，工作电压为直流 (3～6)V。静态工作电流为50tLA。 ⑥采用40脚双列直插式封装。 VP-1000引脚图：
VP-1000引脚图
VP-1000内部结构框图
VP-1000的应用电路图
图中接了一片8k x 8的SRAM，在采样频率为10kpbs时能存放6s多的录音信息。Sl为放音开关，S2为录音开关。VP-1000和已烧制好的存储器相连只做放音的电路如上图所示。
