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  • 1901
  • S6510MG
  • Roithner Lasertechnik
  • Visible Wavelength Laserdiode
  • 1页
  • 46K
  • 1902
  • S6515MG
  • Roithner Lasertechnik
  • High Power Visible Wavelength Laserdiode
  • 1页
  • 46K
  • 1903
  • S7105
  • Hamamatsu Photonics
  • Surface-mountable plastic package PSD
  • 4页
  • 1108K
  • 1904
  • S7565
  • Hamamatsu Photonics
  • Photo IC diode
  • 2页
  • 269K
  • 1905
  • S7805-10
  • Hamamatsu Photonics
  • Photo IC diode
  • 2页
  • 269K
  • 1906
  • S7815
  • Hamamatsu Photonics
  • Photo IC diode
  • 2页
  • 111K
  • 1907
  • S7911
  • Hamamatsu Photonics
  • Si PIN photodiode
  • 2页
  • 120K
  • 1908
  • S7912
  • Hamamatsu Photonics
  • Si PIN photodiode
  • 2页
  • 120K
  • 1909
  • S80L186EB13
  • Intel Corporation
  • 16-BITHIGH-INTEGRATIONEMBEDDEDPROCESSOR
  • 59页
  • 3354K
  • 1910
  • S80L188EB13
  • Intel Corporation
  • 16-BITHIGH-INTEGRATIONEMBEDDEDPROCESSOR
  • 59页
  • 3354K
  • 1941
  • S8202
  • Polyfet RF Devices
  • SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
  • 2页
  • 37K
  • 1942
  • S822T
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • Silicon NPN Planar RF Transistor
  • 8页
  • 146K
  • 1943
  • S822TRW
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • Silicon NPN Planar RF Transistor
  • 8页
  • 146K
  • 1944
  • S822TW
  • Vishay Intertechnology, Inc.
  • Silicon NPN Planar RF Transistor
  • 8页
  • 146K
  • 1945
  • S8301
  • Hamamatsu Photonics
  • One-dimensional PSD
  • 2页
  • 257K
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