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• HYB314171BJL-60
• Infineon Technologies Corporation
• 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
• 24页
• 1339K

• 4552
• HYB314171BJL-70
• Infineon Technologies Corporation
• 3.3V Low Power 256 K x 16-Bit Dynamic RAM with Self Refresh
• 24页
• 1339K

• 4553
• HYB511000BJ-50
• Infineon Technologies Corporation
• 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
• 22页
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• HYB511000BJ-60
• Infineon Technologies Corporation
• 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
• 22页
• 192K

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• HYB511000BJ-70
• Infineon Technologies Corporation
• 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
• 22页
• 192K

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• HYB511000BJL-50
• Infineon Technologies Corporation
• Low Power 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
• 22页
• 192K

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• Infineon Technologies Corporation
• Low Power 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
• 22页
• 192K

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• Infineon Technologies Corporation
• Low Power 1 M x 1-Bit Dynamic RAM
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• Infineon Technologies Corporation
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• 24页
• 272K

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• Infineon Technologies Corporation
• 1M x 16-Bit Dynamic RAM (4k-Refresh)
• 24页
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• Infineon Technologies Corporation
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• 4563
• HYB514171BJ-60
• Infineon Technologies Corporation
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• 23页
• 181K

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• 14页
• 79K

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• 17页
• 90K

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• HYM72V8045GU-60
• Infineon Technologies Corporation
• 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module
• 17页
• 90K

• 4600
• HYMP112S64M8-C4
• Hynix Semiconductor Inc.
• 200 Pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMM Based on 512 MBit 1st Ver.
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